SA 机构：电动汽车电力电子日益集成并转向宽禁带技术和 800 伏平台

CTOnews.com 10 月 27 日消息，Strategy Analytics 电动汽车服务（EVS）近期发布的报告指出，电动汽车面临着消费者对"里程焦虑"和"充电焦虑"的担忧，汽车制造商的应对措施是进一步整合零部件，利用电力电子技术的进步提高动力系统效率，使用 800 伏 + 的电力网络缩短充电时间。

CTOnews.com获悉，该报告指出，碳化硅 (SiC) 是许多宽频带隙技术中的一种，被用于提高开关电源的效率，以驱动电动机，通过车载充电器接收电荷和转换直流电。

Strategy Analytics 全球汽车实践 (GAP) 首席分析师 Kevin Mak 表示："随着汽车制造商将业务调整为'全电动'，它们之间的竞争加剧了。宽禁带技术，如碳化硅，使电机逆变器能够在更高的结温下运行，从而降低其热管理要求。提高电源开关的性能导致更小的逆变器，使电动牵引电机旋转更快，提高扭矩输出，提高电池电动动力系统性能。宽禁带技术还可以使部件变得更小，这意味着动力系统的尺寸、重量和功率都得到了改善，同时也使集成系统更具灵活性。800 伏技术还使汽车制造商能够使用更轻的电缆，比使用更低的电压提取电力更快。"

宽禁带或宽带隙（WBG）是指碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等半导体器件，其中需要相对较高的能量才能将电子从原子"价（valence）"带移动到其"导（conduction）"带，在导带电子可用于电流流动。"带隙"的量度是电子伏特（eV），硅（Si）的带隙值约为 1.1eV，而 SiC 为 3.2eV，GaN 为 3.4eV。高带隙值可提供更高临界击穿电压和更低泄漏电流，尤其是在高温下更是如此。宽带隙器件还具有更好的电子饱和速度，从而可以更快地开关。SiC 还具有特别好的导热性。