长光辰芯发布首款超大靶面可拼接 sCMOS 图像传感器:超大感光面积 + 8100 万高分辨率
发表于:2024-10-26 作者:千家信息网编辑
千家信息网最后更新 2024年10月26日,感谢CTOnews.com网友 独立摄影师 的线索投递!CTOnews.com 12 月 15 日消息,长光辰芯今日宣布推出首款超大靶面可拼接背照式 sCMOS 图像传感器 --GSENSE1081B
千家信息网最后更新 2024年10月26日长光辰芯发布首款超大靶面可拼接 sCMOS 图像传感器:超大感光面积 + 8100 万高分辨率
感谢CTOnews.com网友 独立摄影师 的线索投递!
CTOnews.com 12 月 15 日消息,长光辰芯今日宣布推出首款超大靶面可拼接背照式 sCMOS 图像传感器 --GSENSE1081BSI。该产品主要面向天文观测领域,能满足极度微光探测、长曝光的应用需求。
CTOnews.com了解到,GSENSE 系列产品是长光辰芯推出的科学级 CMOS 图像传感器,面向高端科学成像应用而开发,主要包括生命科学、医疗成像、光谱学、荧光成像、天文学、高能物理和软 X 射线等领域。
作为长光辰芯目前靶面最大的图像传感器,GSENSE1081BSI 具有 89 mm×91.2 mm 的感光面积和 8100 万高分辨率。针对天文成像,芯片采用了 10μm 的大像素设计方案,得益于背照式技术的加持,可获得大于 95% 的峰值量子效率和高灵敏度。
长光辰芯数据显示,GSENSE1081BSI 具有 91.7 ke-满阱容量以及小于 5e-的读出噪声,单幅动态范围可达 85dB。片上 16bit ADC 可提高对原始信号的采样精度,使画面中保留更加丰富的亮度信息。
据介绍,根据天文观测中长曝光和深度制冷的应用需求,GSENSE1081BSI 针对暗电流指标进行了优化,在-70℃摄氏度下,暗电流仅为 0.0026 e-/s/ pixel。芯片采用了 anti-glowing 技术,在极端的温度条件下,超长曝光时间,也可有效消除辉光现象。
此外,GSENSE1081BSI 芯片在像素设计中针对性优化,降低了该芯片的像素内响应不均匀性,同时采用三面可拼接的碳化硅基底封装设计,通过柔性线缆进行片上数据传输,更适合大视场、多芯片拼接应用。
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