为减少资本支出,美光将基于 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 技术推迟到 2025 年
发表于:2024-10-22 作者:千家信息网编辑
千家信息网最后更新 2024年10月22日,感谢CTOnews.com网友 OC_Formula 的线索投递!CTOnews.com 12 月 23 日消息,美国最大存储芯片制造商美光科技周三宣布,公司将在 2023 年裁员大约 10%,并停发
千家信息网最后更新 2024年10月22日为减少资本支出,美光将基于 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 技术推迟到 2025 年
感谢CTOnews.com网友 OC_Formula 的线索投递!
CTOnews.com 12 月 23 日消息,美国最大存储芯片制造商美光科技周三宣布,公司将在 2023 年裁员大约 10%,并停发奖金。这再次表明,科技行业的增长放缓正在影响就业。
作为减少资本支出的一部分,消息称美光将使用 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 推迟到 2025 年,232 层之后的 NAND 节点也被推迟。
美光 1γ 制造技术中原定于 2024 年的某个时候推出,但因为美光必须在 2023 和 2024 财年减少新设备的支出,并减少 DRAM bit 出货量,它将不得不放慢 DRAM 在其 1β 和 1γ 制造技术上的增长速度。
CTOnews.com了解到,该公司最新的 1β 制造节点 -- bit 密度提高了 35%,电源效率提高了 15%,不过这一技术依然依赖于深紫外线(DUV )光刻技术。
相比之下,三星和 SK 海力士已经在其第 4 代 10nm 级存储技术(1α、1-alpha)中的多个层使用 EUV 光刻技术,并计划进一步强化其在第 5 代 10nm 级 DRAM 节点中的使用。
"鉴于我们决定放慢 1β(1-Beta)DRAM 的生产速度,我们预计我们的 1γ(1-gamma)技术将在 2025 年推出,"美光称 "同样,我们将推迟 232 层 3D NAND 存储器以外的下一个 NAND 节点, 以适应新的需求前景和所需的供应增长。"
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