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格芯宣布收购瑞萨 CBRAM 低功耗存储器技术

发表于:2024-11-15 作者:千家信息网编辑
千家信息网最后更新 2024年11月15日,感谢CTOnews.com网友 航空先生 的线索投递!CTOnews.com 2 月 10 日消息,GlobalFoundries(GF,格芯)近日宣布,已经收购瑞萨电子公司(Renesas)的专利和
千家信息网最后更新 2024年11月15日格芯宣布收购瑞萨 CBRAM 低功耗存储器技术
感谢CTOnews.com网友 航空先生 的线索投递!

CTOnews.com 2 月 10 日消息,GlobalFoundries(GF,格芯)近日宣布,已经收购瑞萨电子公司(Renesas)的专利和经过生产验证的导电桥接随机存取存储器 (conductive- bridging RAM,CBRAM) 技术,这是一种低功耗的存储器解决方案,旨在实现家庭和工业物联网以及智能移动设备的一系列应用。

这项交易进一步加强 GF 的存储器产品组合,并通过增加另一种可靠的、可定制的、相对容易集成到其他技术节点的嵌入式存储器解决方案,扩展其嵌入式非易失性存储器(NVM)解决方案的路线图。具体而言,这项技术将使客户能够进一步区分其 SoC 设计,并推动新一代安全和智能设备的发展。

格芯表示,"致力于使我们技术组合差异化,成为客户今天和未来几十年的节能物联网应用的基础。通过收购这项创新的存储技术,GF 现在在加速开发 NVM 解决方案方面发挥着至关重要的作用,这将使我们的客户能够设计出下一代的智能和互联设备。CBRAM 技术释放了性能和超低能耗的新范式,使从可穿戴设备到智能手机的各种应用,在特定的使用情况下,将电池充电的间隔时间从几小时延长到几周甚至几年。"

CTOnews.com了解到,CBRAM 的低功耗、高读 / 写速度、降低制造成本和对恶劣环境的耐受性,使其特别适用于消费、医疗和特定工业应用。2020 年,格芯 GF 与 Dialog 半导体公司(该公司于 2021 年被瑞萨公司收购)达成了一项许可协议,将其 CBRAM 技术作为一种嵌入式、NVM 选项提供。现在,CBRAM 正在该公司的 22FDX 平台上得到认证,并计划将其扩展到其他平台。

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