铠侠演示新型闪存概念：实现 7 bits / cell

CTOnews.com 4 月 4 日消息，铠侠（Kioxia）的 NAND 研究人员去年展示了一种 Hepta 级别的 NAND 闪存概念，每个单元（Cell）可以最多容纳 7 bits，可以让 QLC NAND 存储容量翻倍。

如果铠侠能够在室温下稳定这种存储架构，它可能会成为消费者和企业应用场景下机械硬盘的最终替代者。

CTOnews.com从报道中获悉，铠侠为了创建 7 bits / cell 的 NAND，结合全新的硅处理工艺和散热技术来增加 cell 的密度。新的硅工艺技术用单晶硅取代了当前的多晶硅材料，最多可减少三分之二的 NAND 闪存读取噪声量（read noise），产生更清晰的读取信号。

Kioxia 表示，这种新的存储架构的生产成本也将大大降低，甚至提出了一种将 Hepta 级别闪存与低温冷却相结合的解决方案。这将比当今市场上现有的（风冷或被动冷却）SSD 便宜。