GaN 主导权之争白热化,美商 EPC 起诉国产龙头英诺赛科
发表于:2024-09-24 作者:千家信息网编辑
千家信息网最后更新 2024年09月24日,CTOnews.com 5 月 27 日消息,美国 GaN 技术厂商 EPC 近日向加州地区法院和 ITC 提起诉讼,声称国产 GaN 芯片龙头英诺赛科侵犯了 EPC 的 4 项专利,并寻求禁售与侵权
千家信息网最后更新 2024年09月24日GaN 主导权之争白热化,美商 EPC 起诉国产龙头英诺赛科▲ 图源:英诺赛科
CTOnews.com 5 月 27 日消息,美国 GaN 技术厂商 EPC 近日向加州地区法院和 ITC 提起诉讼,声称国产 GaN 芯片龙头英诺赛科侵犯了 EPC 的 4 项专利,并寻求禁售与侵权赔偿。
CTOnews.com在起诉书中看到,EPC 将矛头对准了两名曾在该公司任职的高管。EPC 认为,其首席技术官和销售总监加入英诺赛科后不久,英诺赛科便推出了与 EPC 关键性能指标几乎相同的产品。此外,英诺赛科还展开了进攻性的营销活动,积极向 EPC 公司的客户推销其产品。
EPC 要求获得侵权赔偿,并希望能够禁止英诺赛科公司在美国销售涉及侵权的氮化镓产品。业内人士指出,若 EPC 最终胜诉,英诺赛科等 GaN 企业进军国际市场的策略将不得不做出改变。
英诺赛科成立于 2015 年 12 月,是一家总部位于珠海的 GaN 类器件制造商,产品包括高低压 GaN 电源 IC、功率半导体等,其拥有全球最大的 8 英寸硅基 GaN 晶圆的生产基地。
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