消息称三星、SK 海力士正致力于研发降低内存功耗技术，提升高性能计算下的效率

CTOnews.com 7 月 13 日消息，随着模型训练类任务在当下愈发增多，HBM 和 DDR5 等内存在高性能计算中的重要性日益增加，而内存的功耗问题也愈发突出。

据外媒 Chosun Biz 报道，三星电子和 SK 海力士等内存制造商正在与学术界展开合作，投资于下一代技术以降低功耗，以提升高性能计算下的效率。

CTOnews.com经过查询得知，DRAM 目前占据基于英伟达 A100 的数据中心平台总功耗的 40%，而随着层数的增加，HBM 的功耗也会增加。

首尔国立大学此前推出了 DRAM Translation Layer 技术，声称可以将 DRAM 的功耗降低 31.6%，引来了三星的兴趣。

三星当下正在与首尔国立大学合作，以进一步降低内存功耗，他们基于 Compute Express Link 技术，开发了采用 12 纳米工艺的 16GB DDR5 DRAM，与上一代产品相比，功耗降低了 23%。

SK 海力士则是推出了 LPDDR5X，将 High-K 金属栅（HKMG）工艺应用于移动 DRAM。High-K 材料的介电常数比传统 SiON 绝缘膜高约五倍，可以在相同面积和厚度下存储五倍的电荷，并帮助减少电流泄漏。通过控制泄漏电流，SK 海力士的 LPDDR5X 速度提高了 33%，功耗比上一代产品降低了 20% 以上。

随着模型训练任务对内存厂商提出进一步的技术更新要求，厂商们当下也纷纷展开彼此之间的角逐，从而导致内存成本能够得到一定下降，消费者也能从中得利。