读速达 2100MB/s，国产佰维存储推出旗舰手机 UFS 3.1 闪存

CTOnews.com 7 月 28 日消息，据"BIWIN 佰维"公众号消息，佰维宣布推出 UFS 3.1 高速闪存，写入速度最高可达 1800MB/s，是上一代通用闪存存储的 4 倍以上，读取速度达 2100MB/s，容量达 256GB（未来将推出 512GB、1TB 容量），尺寸为 11.5×13.0×1.0mm，用于旗舰智能手机产品。

值得一提的是，佰维 UFS 2.2 闪存已通过联发科、展锐等主流 SoC 平台验证，是国内首家进入联发科支持列表的独立存储解决方案厂商。同时，佰维可提供 UFS 3.1+LPDDR4X / 5 的存储搭配方案，其中佰维 LPDDR5 产品的运行速度达 6400Mbps，容量最高可达 64Gb（CTOnews.com注：8GB）。

佰维表示，公司依托自研固件算法能力，同时根据 JEDEC 发布的 UFS 3.1 规范，为 UFS 3.1 自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能，确保产品高速运行的同时，降低产品功耗。

深圳佰维存储科技股份有限公司成立于 2010 年，专注于存储芯片研发与封测制造，是国家高新技术企业，国家级专精特新小巨人企业，并获得国家大基金战略投资（第二大股东）。