三星电子平泽 P1 工厂产线明年将迎来升级，转向更先进的第八代 NAND

8 月 30 日消息，据 etnews 报道，为了提高新一代 NAND 闪存的竞争力，三星电子将在 2024 年升级其 NAND 核心设备供应链，也就是其平泽 P1 工厂，未来大部分产线将从 V6 NAND 改为生产更先进的 V8 NAND。

此举一方面是变相减产以削减过高的 V6 NAND 库存，另一方面也是为 V8 NAND 未来的产能扩展做准备。

报道称，为了明年彻底改变 NAND 核心设备供应链，各大 NAND 生产基地都在积极进行设备运行测试。

此前，外媒曾报道称，三星电子的半导体产品库存在今年上半年都有一定程度的增加。在上半年结束时，该公司旗下设备解决方案部门的库存已增至 33.69 万亿韩元，高于去年年底时的 29.06 万亿韩元。

在今年第二季度的财报电话会议上，三星电子高管表示，该公司计划下半年继续削减存储芯片的产量，尤其是 NAND 闪存的产量，以加速库存正常化。

上周，业界消息人士称，为了减少 NAND 库存，该公司将实施大规模减产，目标是到今年年底将库存降至正常水平，即 6-8 周。

今年 8 月 21 日，业内人士透露，三星电子正在将日本东京电子（TEL）的最新设备引入其位于平泽园区的第三工厂（P3）的 NAND 生产线。该公司此次采购的 TEL 设备是用于整个半导体工艺的蚀刻设备。