博世本周完成收购 TSI Semiconductors，旨在美国建立 SiC 芯片制造基地

CTOnews.com 9 月 1 日消息，据彭博社采访，博世将于本周完成对美国芯片制造商 TSI Semiconductors 的收购。据了解，该公司位于加利福尼亚州罗斯维尔，拥有 250 名员工，是一家专用集成电路（ASIC）的代工厂。

CTOnews.com注意到，TSI Semiconductors 主要开发和生产大量 8 英寸硅片芯片，应用于移动、电信、能源和生命科学行业。未来几年，博世计划在罗斯维尔工厂投资超过 15 亿美元，并将 TSI Semiconductors 制造设施改造为最先进的工艺。从 2026 年开始，第一批芯片将在基于创新材料碳化硅（SiC）的 8 英寸晶圆上生产。

通过这种方式，博世正在系统性地加强其半导体业务，并将在 2030 年底之前大幅扩展其全球 SiC 芯片产品组合。

"通过收购 TSI Semiconductors，我们正在一个重要的销售市场建立 SiC 芯片的制造能力，同时也在全球范围内增加我们的半导体制造。罗斯威尔现有的洁净室设施和专家人员将使我们能够更大规模地制造用于电动汽车的 SiC 芯片。"博世管理委员会主席 Stefan Hartung 博士说道。

罗斯威尔的新工厂将加强博世的国际半导体制造网络。从 2026 年开始，经过重组阶段后，首批 SiC 芯片将在 8 英寸晶圆上生产。博世早期就投资了 SiC 芯片的研发和生产。自 2021 年以来，该公司一直在斯图加特附近的罗伊特林根工厂使用自有工艺进行批量生产。

到 2025 年底，该公司将把罗伊特林根的洁净室面积从约 35000 平方米扩大到超过 44000 平方米。"SiC 芯片是电动汽车的关键组件。通过在国际上扩展我们的半导体业务，从而加强在重要电动汽车市场的本地影响力。"博世管理委员会成员兼移动解决方案业务部门主席 Markus Heyn 博士表示。

到 2025 年，博世预计每辆新车中将平均集成 25 颗芯片。