英特尔：首次采用 EUV 技术的 Intel 4 制程节点已大规模量产

CTOnews.com 10 月 15 日消息，"英特尔中国"官方公众号周五晚间宣布，英特尔已于近日开始采用极紫外光刻（EUV）技术大规模量产 Intel 4 制程节点。官方表示，英特尔正以强大执行力推进"四年五个制程节点"计划，并将用于新一代的领先产品。

据介绍，Intel 4 是英特尔首个采用 EUV 技术生产的制程节点，在性能、能效和晶体管密度等方面"均实现显著提升"，EUV 技术将驱动如 AI、先进移动网络、自动驾驶及新型数据中心和云应用等算力需求最高的应用。

各制程进度具体如下：

• Intel 7 和 Intel 4 已经实现大规模量产，Intel 3 正在按计划推进，目标 2023 年底量产。

• 采用 RibbonFET 全环绕栅极晶体管和 PowerVia 背面供电技术的 Intel 20A 和 Intel 18A 同样"进展顺利"，目标是 2024 年。

• 产品代号为 Meteor Lake 的英特尔酷睿 Ultra 处理器今年 12 月 14 日发布，采用 Intel 4 制程节点。

• 至强处理器 Sierra Forest 将于明年上半年上市，具备高能效的能效核（E-core），采用 Intel 3 制程节点

• 至强处理器 Granite Rapids 同样明年上半年上市，紧随 Sierra Forest 之后推出，具备高性能的性能核（P-Core）。

CTOnews.com此前报道，英特尔曾在 9 月举办的 ON 技术创新峰会上介绍了 Intel 4 工艺。

英特尔表示，与 lntel 7 相比，Intel 4 实现了两倍的面积微缩，带来了高性能逻辑库，并引入了多个创新：

• 简化工艺的 EUV 光刻技术

• lntel 4 针对高性能计算应用进行了优化，可支持低电压（<0.65V）和高电压（＞1.1V）运行。与 lntel 7 相比，intel 4 的 iso 功率性能提高了 20% 以上。

• 高密度 MIM（金属-绝缘体-金属）电容器实现卓越的供电性能